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    串行EEPROM

    Microchip提供最廣泛的串行EEPROM器件(從128位到1兆位)在最寬的工作電壓范圍(1.7至5.5V)。 Microchip串行EEPROM兼容IC,SPI,MICROWIRE,以及新的單I / O UNI / O總線。 創新的封裝,包括小型SOT-23和SC-70封裝,Microchip提供了大量的選擇-以及死期權。 隨著Microchip的“三重測試流程創新的低功耗設計確保高性能和高品質,低成本。 現在的新開始你的設計 MPLAB串行存儲器產品入門工具包 。

    串行SRAM

    需要更多的內存嗎? 從Microchip SPI兼容的串行SRAM器件可在64和256 Kbit的選項。 這些器件提供了低功耗的高速性能,使他們需要更多的RAM的嵌入式應用的理想選擇。 該設備使用更少的引腳,用較少的接口連接和更小的封裝,從而保證了更小的設計和更低的系統成本。

    SST串行閃存

    SST串行閃存,少即是肯定更多。 低引腳數意味著更少的空間,更小的印刷電路板,降低了系統成本和更低的功耗。 業界速度最快的擦寫次數是指在生產過程中節約成本。 25系列SPI家庭的業界最低功耗的3.0V和1.8V產品之間的。 獲獎的26系列的SQI家族提供了所有的小尺寸和低功耗優勢的串行閃存的性能相媲美的并行閃存。 請參閱 SST生產噸 的全系列SST串行閃存產品 選型指南 。

    SST Parall EL閃光

    SST并行閃存系列基于SuperFlash耀術,具有高性能,高可靠性和低功耗的產品。 業界速度最快的擦寫次數是指在生產過程中節約成本。 38和39系列:強積金(多用途閃存)的產品,包括強積金+和高級強積金+,提供快速的讀取和編程功能,如Erase-Suspend/Erase-Resume,引導塊,安全ID,硬件復位和提高保護的次功能。 請參閱 SST產品選擇指南“ 為全系列SST并行閃存產品的。

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